JFET是一种单极晶体管。JFET 是一种通过利用耗尽层的宽度改变导通通道的宽度来控制漏极电流的装置。日本场效应晶体管包括一个 N 型或 P 型半导体材料，在两端之间夹有一层 P 型或 N 型材料。

    结型场效应晶体管是一种电流控制器件，通过控制输入信号电压来控制输出电流。结型场效应晶体管具有高输入电阻、低输出电阻和良好的线性度。虽然结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管表面上看起来很像，但是在不同的应用场景下，它们的特性和功能还是有很大的不同。差分放大电路厂家代理

    结型场效应管（JFET）连接的共源模式进行一般可以用于通过音频视频放大器和高输入输出阻抗的前置放大器和级。结型场效应管具有以下三个不同电极，它们是：栅极；漏极；源极。场效应管的栅极结构相当于一个晶体管的基极，源极和漏极分别对应于每个晶体管的发射极和集电极。JFET适用于一些低频使用放大器、信号控制开关等场合。

    所述 n 沟道 JFET 的衬底为一片 N 型硅材料。当栅极打开时，通道等效于电阻。不同类型的管的电阻是相同的，通常数百到数千欧元。栅电压对漏电流的控制称为传输特征曲线，反映两者之间关系的曲线称为传输特征曲线。

    与结型场效应晶体管相比，绝缘栅场效应晶体管的源漏之间没有pn结，而是用绝缘材料隔开。与结型场效应晶体管相比，绝缘栅场效应晶体管具有更高的绝缘强度，因此更适用于高电压应用场景。因为绝缘栅FET的制造工艺更复杂，所以成本比结型FET高。因为FET放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以很小，所以不需要使用电解电容。国产eMMc

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