英特尔于当地时间周一宣布，其采用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备处理的300mm晶圆累计数量已突破一百万片。这一里程碑距离其首台High-NA EUV设备完成组装尚不到两年半时间。从2025年2月累计处理约3万片晶圆，到2026年9月跨越百万片大关，英特尔在High-NA EUV这一决定未来集成电路（IC）制造能力的关键技术上，正在以远超行业预期的速度拉大与竞争对手的差距。

从3万到100万：一台光刻机背后的集成电路制造效率革命

High-NA EUV光刻机之所以被视为下一代集成电路制造的核心装备，在于其0.55的数值孔径（NA）相比现有0.33 NA EUV设备实现了约8nm的单次曝光分辨率。对于集成电路设计而言，这意味着原本需要三到四次多重曝光才能完成的精细图形，如今一次曝光即可实现——不仅大幅缩短了光刻工序的周期，更减少了因多次对准误差导致的良率损失。

英特尔目前拥有两台ASML Twinscan EXE:5000原型机及至少一台EXE:5200B量产机型。根据ASML在2026年4月第一季度财报中披露的数据，当时全球所有High-NA EUV系统累计处理的晶圆已超过50万片，可用率超过80%。这意味着英特尔一家的处理量已超过行业其他所有用户的总和。

High-NA EUV已进入量产：从验证到集成电路大规模出货

今年早些时候，英特尔已通过其Intel 18A工艺节点完成了High-NA EUV的验证。该技术目前正用于生产Panther Lake系列酷睿Ultra处理器。今年7月，ASML宣布英特尔成为全球首家实现High-NA EUV逻辑芯片大规模出货的企业——Intel 18A部分工艺层已完成High-NA EUV双重认证，良率已达到现有NXE EUV平台水平。

在集成电路制造中，从“技术验证”到“大规模出货”之间的鸿沟往往以年为单位计算。High-NA EUV设备单台造价高达3.8亿至4亿美元，是现有EUV设备的近两倍。高昂的设备成本意味着只有通过极高的晶圆吞吐量和稳定的良率才能实现单位集成电路成本的合理化。英特尔在不到两年半时间内突破百万片处理量，意味着High-NA EUV已从“实验室设备”转变为“工厂工具”。

光罩瓶颈：集成电路生态系统的下一个战场

不过，High-NA EUV目前仍面临光罩尺寸带来的限制。为突破限制，英特尔正牵头推动行业转向更大的6×12英寸光罩，可在一次曝光中实现26×33mm的完整视场。然而，这一转变涉及整个光罩生态系统的重大变更——光罩空白基板、沉积、刻蚀、检测、计量、清洗、光罩保护膜、光罩写入设备以及处理系统等环节均需调整。

按照ASML的路线图，在2033年前后及之后推出的High-NA EUV设备仍以6×6英寸光罩和拼接方案为设计基础。英特尔的选择意味着其正在以自身在集成电路制造领域的领先地位倒逼整个产业链重新定义标准——这是一场从设备到材料的系统性工程。

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